




电池片各工艺流程危害要素及异常现象
4.naoh产生金字塔式绒面。naoh浓度值越高,金字塔式容积越小,反映前期,金字塔式成核相对密度类似没受naoh浓度值危害,碱水溶液的腐蚀随naoh浓度值转变比较---,浓度值高的naoh水溶液与硅体现的速率加速,再反映过段时间后,金字塔式容积。naoh浓度值超出必须界线时,各向---系数缩小,绒面会愈来愈差,类似打磨抛光。可控性水平:与ipa相近,线性度不高。
5.na2sio3si和naoh反映生产制造的na2sio3和添加的na2sio3能具有缓冲剂的功效,使反映不会很---,变的轻缓。na2sio3使反映拥有大量的起始点,生长发育出的金字塔式更匀称,更小一点儿na2sio3多的那时候要立即的排出去,na2sio3传热性差,会危害反映,水溶液的黏稠度也提升,非常容易产生水流、花蓝印和表层黑斑。可控性水平:没办法---。4酸洗钝化hcl除去硅片表层的金属材料残渣---具备酸和络合剂的双向功效,---盐能与多种多样金属材料正离子产生可溶解与水的络合物。6酸洗钝化hf除去硅片表层空气氧化层,sio26hf=h2[sif6]2h2o。
基准点1.减薄量界定:硅片制绒前后左右的前后左右净重差。---范畴多晶硅125,硅片薄厚在200±25μm左右,减薄量在0.5±0.2g;硅片薄厚在200±25μm左右,减薄量在0.4±0.2g。多晶硅156,首篮减薄量在0.7±0.2g;之后减薄量在0.6±0.2g。2.绒面分辨规范:成核相对密度高,尺寸适度,匀称。
---范畴:多晶硅:金字塔式规格3~10um。3.外型无豁口,黑斑,裂痕,激光切割线,刮痕,凹痕,有没有白斑病,赃污。

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晶体硅电池片
3) 尺寸:符合厂家提供要求± 0.5mm 尺寸
1)厚度偏差:电池厚度的测量值与标称厚度允许的大差值。
2)总厚度偏差:在一系列点的厚度(包含电极厚度)测量中,被测电池的大厚度与小厚度的差值。
4)弯曲度: 正放电池片于工作台上,以塞尺测量电池的弯曲度,“ 125 片”的弯曲度不超过 0.75mm ,电池的弯曲变形,一般情况下,阳江太阳能发电板,用电池的弯曲度来衡量,电池的弯曲度如下图所示。
5 )电性能:按来料总数的千分之二比例进行抽测,功率偏差在合同约定范围之内;
可焊性:用符合该电池片的互联条,60w烙铁,温度 320—380 °。 将互联条撕开后,主栅线上留下均匀的银锡合金,则认为该电池片具有可焊性。
7 ) 细栅线印刷:用橡皮在同一位置来回擦 1 0 次,栅线不脱落则认为合格。
8 ) 减反射膜 与基体材料的附着强度的测试采用胶带试验测定粘合性的方法,胶带附着强度不小于 44n/mm ,减反射膜不脱落。
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pecvd
pe 目的
在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜,以增加入射在硅片上的光的透射,减少反射,氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。
其化学反应可以简单写成 : sih 4 +nh 3 =sin:h+3h 2 。
基本 原理
pecvd 技术原理是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加---体)使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜。 pecvd 方法区别于其它 cvd 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子,它们可以提供化学气相沉积过程所需的---能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程,生成活性---的各种化学基团,因而---降低 cvd 薄膜沉积的温度范围,使得原来需要在高温下才能进行的 cvd 过程得以在低温下实现。
基本特征
1. 薄膜沉积工艺的低温化( < 450 ℃ )。
2. 节省能源,降低成本。
3. 提高产能。
4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。
扩散方式
pe 设备有两类:平板式和管式。
按反应方式分为:直接式(岛津)和间接式( roth & rau )。
直接式:基片位于一个电极上,直接接触等离子体。
间接式:基片不接触激发电极。 在微波激发等离子的设备里,等离子产生在反应腔之外,然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 nh3 ,而 sih4 直接进入反应腔。间接 pecvd 的沉积速率比直接的要高很多,这对---生产尤其重要。
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