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影响因素
1. 印刷压力的影响
在印刷过程中刮胶要对丝网保持一定的压力,且这个力必须是适当的。印刷压力过大,易使网版、刮胶使用寿命降低,使丝网变形,导致印刷图形失真。印刷压力过小,易使浆料残留在网孔中,造成虚印和粘网。在适当的范围内加大印刷压力,透墨量会减小(浆料湿重减小),栅线高度下降,宽度上升。
2. 印刷速度的影响
印刷速度的设定必须---产量和印刷。对印刷而言,印刷速度过快,浆料进入网孔的时间就短,对网孔的填充性变差,印刷出的栅线平整性受损,易产生葫芦状栅线。印刷速度上升,栅线线高上升,线宽下降。印刷速度变慢,下墨量增加,湿重上升。
3. 丝网间隙的影响
在其他条件一定的情况下,丝网间隙与湿重大致有如右图的关系:两者几乎呈比例上升,之后丝网间隙加大,湿重降低,后突然变为零。丝网印刷时使用的是曲线的前半段(即呈比例上升段)。由此可知,丝网间隙加大,下墨量多,湿重增大。丝网间隙过大,易使印刷图形失真;过小,容易粘网。 刮胶硬度的影响 刮胶材料一般为聚胺脂或---橡胶,硬度 60 -90a 。刮胶硬度越大,印刷的图形越准确,原图的重现性越好。因此,正面栅线的印刷就需要选用硬度较高刮胶。刮胶硬度小,其他参数不变的情况下湿重就大,线高增加,线宽变大。
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电池片差别
太阳电池开始面世的是单晶硅太阳电池。硅是宇宙上极丰富多彩的这种原素,基本上满地常有硅的存有,百口莫辩取之不竭,用硅来生产制造太阳电池,原材料可以说不缺。可是提炼出它却不易,因此大家在生产制造单晶硅太阳电池的一起,又科学研究了多晶硅太阳电池和非晶硅太阳电池,迄今商业服务经营规模生产制造的太阳电池,都还没跳出来硅的系列产品。我觉得能够生产制造太阳电池的半导体器件许多,随之原材料工业生产的发展趋势、太阳电池的种类将很多。现阶段已开展科学研究和研发的太阳电池,除硅系列产品外,也有---镉、---镓、铜铟硒等很多种类的太阳电池,不胜枚举,下列详细介绍几类较普遍的太阳电池。归类单晶硅太阳电池。
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pecvd
pe 目的
在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜,以增加入射在硅片上的光的透射,减少反射,氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。
其化学反应可以简单写成 : sih 4 +nh 3 =sin:h+3h 2 。
基本 原理
pecvd 技术原理是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加---体)使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜。 pecvd 方法区别于其它 cvd 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子,它们可以提供化学气相沉积过程所需的---能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程,生成活性---的各种化学基团,因而---降低 cvd 薄膜沉积的温度范围,使得原来需要在高温下才能进行的 cvd 过程得以在低温下实现。
基本特征
1. 薄膜沉积工艺的低温化( < 450 ℃ )。
2. 节省能源,降低成本。
3. 提高产能。
4. 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减。
扩散方式
pe 设备有两类:平板式和管式。
按反应方式分为:直接式(岛津)和间接式( roth & rau )。
直接式:基片位于一个电极上,直接接触等离子体。
间接式:基片不接触激发电极。 在微波激发等离子的设备里,等离子产生在反应腔之外,然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发 nh3 ,而 sih4 直接进入反应腔。间接 pecvd 的沉积速率比直接的要高很多,这对---生产尤其重要。
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