用于桥接和开关和二极管
另一个值得探讨的选择是采用fgh30n60---器件。它是一颗饱和电压vce(sat) 只有1.1v的30a/600v igbt。其关断损耗eoff非常高，达10mj ，故只适合于低频转换。一个50毫欧的mosfet在工作温度下导通阻抗rds(on) 为100毫欧。因此在11a时，具有和igbt的vce(sat) 相同的vds。由于这种igbt基于较旧的击穿技术，vce(sat) 随温度的变化不大。因此，这种igbt可降低输出桥中的总体损耗，从而提高逆变器的总体效率。fgh30n60--- igbt在每半周期从一种功率转换技术切换到另一种拓扑的做法也十分有用。igbt在这里被用作拓扑开关。在较快速的转换时则使用常规及快速恢复超结器件。对于1200v的拓扑及全桥结构，前面提到的fgl40n120and是非常适合于新型高频太阳能逆变器的开关。当技术需要二极管时，stealth ii、hyperfast? ii 二极管及碳硅二极管是---的解决方案。逆变器把直流电转换为交流电的效率，目前，欧洲逆变器效率普遍较高，可达到97.2%。
假如总体目标就是为了峰值功率---电路的特性，开发出可在不一样自然条件下自始至终工作在i-v曲线较大功率点里的太阳能发电逆变器，在电路的设计和开发中就一定要考虑峰值功率---范围和---工作频率。峰值功率---范畴是i-v曲线较大峰值功率点附近的一段区间，那也是逆变器峰值功率---电源电路算法的工作中区间，---工作频率乃是工作中区间内曲线的晃动速度，如下图2所显示。为---逆变器在控制模块i-v曲线变化时自始至终能找到较大峰值功率点，它必须具有充足宽---范围和充足强的---工作频率。为设计方案有效性，应该根据重现太阳能光伏板的i-v曲线来验证在不同曲线下逆变器能不能稳定地工作在峰值功率点附近。
多晶硅的技术特征
⑴多种生产工艺路线并存，产业化技术、垄断局面不会改变。由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、---法和流化床法。其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占总产能的80%，短期内产业化技术垄断的局面不会改变。
⑵新一代低成本多晶硅工艺技术研究活跃。除了传统工艺（电子级和太阳能级兼容）及技术升级外，太阳能光伏板回收公司，还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术，主要有：改良西门子法的格工艺；冶金法从金属硅中提取高纯度硅；高纯度sio2直接制取；熔融析出法（vld：vaper to liquid deition）；还原或热分解工艺；无氯工艺技术，al－si溶体低温制备太阳能级硅；熔盐电解法等。
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