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光电转换效率

对电信领域中关键有效负荷进行保障的经验使生产商将电信零电压、零电流切换技术移植到有同等严格要求的并网逆变器应用中，回收测试---电池片硅片回收，而无须在设备寿命或---性方面让步。为了减小磁性器件的体积，更快速的开关mosfet器件被用于替代比较慢的igbt器件，并成为逆变器领域中的关键器件。

对于范围内的太阳能电池光伏产业，具有挑战性的降成本努力关乎到企业的生存。实际上，欧洲的研究已经开始转向无变压器拓扑中的更高开关频率，其目的是通过调整逆变器的体积和重量来减小逆变器的总体体积，进而也降低了维护成本。

然而这项研究使用了实验性质的碳化硅（silicon carbide：sic）技术器件，该器件的---性和硅mosfet器件的电流能力还没有得到证实。但是，---电池片硅片回收，应用于通过降低重量和实现低成本面板中的逆变器和业界降低系统成本的努力是一致的。

实验结果

对样机进行检测的结果如下：

（1）设定vo=13.5v，vh=14.4v。当蓄电池电压低于13.5v时，充电管完全打开；高于14.4v时，充电管完全关断。在13.5v和14.4v之间为pwm充电方式，邵阳---电池片硅片，输出脉冲的宽度随蓄电池电压的升高而减小。

（2）设定=11.0v，vr=13.3v。电池电压处在11.0v和14.4v之间时，样机有稳定的直流或／和交流输出。当电压降低到11.0v以下时，mcu自动切断输出，同时“欠压”led点亮。直到蓄电池电压恢复到l3.3v后，才可继续供电。

（3）蓄电池电压在11.0v～14.4v之间变化，负载在0～100％之间变化时，逆变器的输出电压变动不大于额定输出电压的5％。

（4）过载在12o一150％范围内时，样机在60s后关机。在150～160％范围内时，样机在10s后关机。超过60％时，样机立即关机。

（5）短路发生后，样机会立即天机。